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Si4484EY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
V GS = 6.0 V
V GS = 10 V
2500
2000
1500
1000
500
C iss
C rss
C oss
0.00
0
0
6
12
18
24
30
0
10
20
30
40
50
60
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 6.9 A
V DS = 50 V
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 6.9 A
V GS = 10 V
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.06
0.05
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 175 °C
0.04
I D = 6.9 A
0.03
0.02
T J = 25 °C
0.01
1
0.00
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71189
S09-1341-Rev. D, 13-Jul-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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